全球存儲芯片市場近期迎來新一輪價格波動，DRAM與NAND兩大主流產(chǎn)品價格同步攀升，但后續(xù)走勢呈現(xiàn)分化態(tài)勢。據(jù)行業(yè)監(jiān)測數(shù)據(jù)顯示，2月份通用型DRAM產(chǎn)品均價突破13美元關(guān)口，創(chuàng)下2016年6月以來的歷史峰值，而NAND閃存價格單月漲幅超過33%，延續(xù)了長達14個月的上漲周期。

DRAM市場在經(jīng)歷連續(xù)11個月的上漲后，價格漲幅出現(xiàn)明顯放緩跡象。以PC端主流產(chǎn)品DDR4 8Gb為例，其2月平均固定交易價較上月上漲13.04%至13美元，但行業(yè)分析機構(gòu)TrendForce指出，今年第一季度該品類價格環(huán)比漲幅達110%-115%，遠超去年第四季度38%-43%的增速。市場供需雙方已就當前價位達成平衡，主要供應(yīng)商與PC制造商在2月完成季度價格談判后，預(yù)計3月價格將維持現(xiàn)有水平。

NAND閃存市場則延續(xù)強勁上漲勢頭。用于存儲卡和USB設(shè)備的128Gb MLC產(chǎn)品2月均價躍升至12.67美元，較上月暴漲33.91%。供應(yīng)鏈調(diào)整成為主要推手，隨著廠商將產(chǎn)能向高密度3D NAND產(chǎn)品傾斜，傳統(tǒng)SLC和MLC工藝產(chǎn)品的供應(yīng)缺口持續(xù)擴大。這種結(jié)構(gòu)性短缺預(yù)計將支撐NAND價格在下半年保持對賣方有利的態(tài)勢。

驅(qū)動本輪存儲芯片漲價的核心因素，在于人工智能技術(shù)爆發(fā)引發(fā)的產(chǎn)業(yè)格局重構(gòu)。全球主要芯片制造商紛紛將資源向高附加值領(lǐng)域集中，導(dǎo)致通用型存儲產(chǎn)品產(chǎn)能受限。這種戰(zhàn)略調(diào)整在DRAM市場已顯現(xiàn)成效，價格漲勢趨于平緩；而NAND市場因技術(shù)迭代周期較長，供應(yīng)緊張局面短期內(nèi)難以緩解，為價格持續(xù)上行提供支撐。