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存儲芯片價格持續(xù)攀升:DRAM短期或迎峰值 NAND供應緊張態(tài)勢難緩

   發(fā)布時間:2026-02-28 18:25 作者:胡穎

全球存儲芯片市場近期迎來新一輪價格波動,DRAM與NAND兩大主流產(chǎn)品呈現(xiàn)差異化走勢。根據(jù)行業(yè)監(jiān)測數(shù)據(jù)顯示,2月份通用型DRAM產(chǎn)品均價突破13美元關口,創(chuàng)下2016年6月以來最高紀錄,而NAND閃存價格單月漲幅超過33%,延續(xù)自去年初以來的持續(xù)上漲態(tài)勢。

市場研究機構TrendForce披露,PC領域常用的DDR4 8Gb DRAM顆粒平均交易價較上月攀升13.04%,自去年4月啟動漲價周期以來已連續(xù)11個月保持漲勢。值得注意的是,今年第一季度該品類價格較去年第四季度暴漲110%-115%,遠超此前季度38%-43%的漲幅紀錄。分析人士指出,經(jīng)過多輪價格談判,當前現(xiàn)貨價已達到供需雙方均可接受的平衡點,預計3月價格將維持現(xiàn)有水平,后續(xù)漲幅將逐步收窄。

與DRAM市場形成對比的是,NAND閃存價格呈現(xiàn)加速上漲態(tài)勢。用于存儲卡和U盤的128Gb MLC顆粒本月均價達12.67美元,單月漲幅高達33.91%,創(chuàng)下連續(xù)14個月上漲的新紀錄。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示,隨著主要廠商將產(chǎn)能向3D NAND技術轉(zhuǎn)移,傳統(tǒng)SLC和MLC工藝產(chǎn)品的供應缺口持續(xù)擴大,成為推動價格走高的主要因素。

驅(qū)動本輪存儲芯片漲價的核心動力來自人工智能產(chǎn)業(yè)爆發(fā)帶來的需求激增。全球主要芯片制造商紛紛調(diào)整產(chǎn)能結構,將資源向高附加值產(chǎn)品傾斜,導致通用型存儲產(chǎn)品供應持續(xù)緊張。市場觀察家認為,這種結構性供需失衡短期內(nèi)難以緩解,但不同產(chǎn)品類別將因技術迭代周期差異呈現(xiàn)分化走勢,其中NAND市場因技術升級空間較大,價格上行壓力或?qū)⒀永m(xù)至下半年。

 
 
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