在近日舉辦的Wolfe Research汽車、汽車技術(shù)與半導(dǎo)體會議上，Micron美光首席財務(wù)官Mark Murphy透露，公司HBM4內(nèi)存已正式進入大規(guī)模量產(chǎn)階段，整體進度超出預(yù)期。這一消息標志著美光在高性能存儲領(lǐng)域的布局取得關(guān)鍵突破，其HBM4產(chǎn)品憑借技術(shù)優(yōu)勢正快速搶占市場先機。

Mark Murphy進一步表示，美光已啟動HBM4內(nèi)存的客戶交付工作，預(yù)計本季度出貨量將呈現(xiàn)持續(xù)上升態(tài)勢。得益于產(chǎn)能的穩(wěn)步擴張，公司當前日歷年的HBM產(chǎn)品供應(yīng)已全部被客戶預(yù)訂，其中HBM4的良率表現(xiàn)完全符合預(yù)期目標。該產(chǎn)品最高可實現(xiàn)11Gbps的傳輸速率，在性能、質(zhì)量及可靠性方面均達到行業(yè)領(lǐng)先水平，為人工智能、高性能計算等前沿領(lǐng)域提供了強有力的存儲支持。

當前存儲半導(dǎo)體市場呈現(xiàn)供不應(yīng)求的顯著特征。Mark Murphy指出，即便對于重點客戶，美光的供應(yīng)能力也僅能滿足其需求的50%至67%。這種供需失衡局面預(yù)計將持續(xù)至2026年以后，主要原因是制程升級帶來的產(chǎn)能提升已無法匹配快速增長的市場需求，而新建晶圓廠所需的較長周期更加劇了供應(yīng)緊張態(tài)勢。美光正通過優(yōu)化生產(chǎn)流程、加速技術(shù)迭代等方式，努力緩解這一結(jié)構(gòu)性矛盾。