存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)正經(jīng)歷一場(chǎng)前所未有的漲價(jià)潮，行業(yè)巨頭SK海力士在最新投資者會(huì)議上明確表示，受人工智能（AI）領(lǐng)域客戶強(qiáng)勁需求及供應(yīng)端物理限制的雙重影響，存儲(chǔ)芯片價(jià)格將在全年持續(xù)攀升。公司透露，當(dāng)前潔凈室空間不足已成為制約全行業(yè)產(chǎn)能擴(kuò)張的關(guān)鍵因素，短期內(nèi)無(wú)法通過(guò)擴(kuò)產(chǎn)緩解供需矛盾，客戶重復(fù)下單只會(huì)進(jìn)一步推高價(jià)格。

從庫(kù)存動(dòng)態(tài)來(lái)看，服務(wù)器領(lǐng)域庫(kù)存已恢復(fù)至健康水平，而PC和移動(dòng)設(shè)備客戶庫(kù)存持續(xù)消耗，SK海力士自身DRAM與NAND庫(kù)存僅維持約4周，且預(yù)計(jì)全年將進(jìn)一步下降。在高端產(chǎn)品領(lǐng)域，HBM（高帶寬內(nèi)存）成為焦點(diǎn)，公司2026年產(chǎn)能已全部售罄，甚至難以調(diào)整產(chǎn)線分配，這種供需極度緊張的狀態(tài)為其在定價(jià)談判中贏得顯著優(yōu)勢(shì)。公司正與主要客戶探討簽訂多年期長(zhǎng)期合約，并預(yù)計(jì)這種緊張局勢(shì)可能為2027年HBM業(yè)務(wù)帶來(lái)更優(yōu)條款。

資本開支策略方面，SK海力士保持審慎態(tài)度。盡管今年投資額將超過(guò)去年，但核心聚焦HBM和標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，NAND業(yè)務(wù)僅恢復(fù)部分321層3D NAND遷移投資，占總資本開支比例維持低雙位數(shù)。這種精準(zhǔn)投資策略與行業(yè)整體趨勢(shì)形成呼應(yīng)——市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce預(yù)測(cè)，2026年第一季度DRAM價(jià)格將上漲90%-95%，NAND閃存價(jià)格漲幅達(dá)55%-60%。

資本市場(chǎng)已對(duì)行業(yè)變局作出強(qiáng)烈反應(yīng)。美東時(shí)間2月20日，美股存儲(chǔ)概念股集體走高，閃迪漲幅達(dá)4.65%，美光科技漲超2%，SK海力士在亞洲交易時(shí)段大漲6.15%創(chuàng)歷史新高，三星電子亦刷新收盤紀(jì)錄。港股市場(chǎng)中，瀾起科技一度漲超8%，兆易創(chuàng)新漲近4%。消息面上，三星電子正就新一代AI存儲(chǔ)芯片定價(jià)談判，價(jià)格較前代最高上浮30%，盛寶銀行首席投資策略師查魯·查納納指出，這凸顯高端市場(chǎng)定價(jià)權(quán)向頭部企業(yè)集中的趨勢(shì)。

行業(yè)連鎖反應(yīng)正在顯現(xiàn)。谷歌DeepMind首席執(zhí)行官Demis Hassabis直言，內(nèi)存芯片供應(yīng)鏈全面受限正制約AI部署規(guī)模，英特爾CEO陳立武則警告，內(nèi)存短缺將成為AI發(fā)展瓶頸，且問(wèn)題可能持續(xù)至2028年。Bernstein半導(dǎo)體分析師Mark Li提醒，內(nèi)存價(jià)格"拋物線式"上漲雖將使三星、美光、SK海力士等企業(yè)利潤(rùn)激增，但電子行業(yè)其他領(lǐng)域?qū)⒊惺芫薮髩毫Αounterpoint Research分析指出，內(nèi)存成本攀升可能迫使電子企業(yè)放棄低端產(chǎn)品線，部分低價(jià)智能手機(jī)或?qū)⑼顺鍪袌?chǎng)。