廣東致能半導(dǎo)體近日對外宣布，將于2025年11月與國際知名8英寸晶圓廠合作，實(shí)現(xiàn)全球首個8英寸藍(lán)寶石基氮化鎵功率器件的量產(chǎn)。這一突破標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在基底材料應(yīng)用領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步，為功率半導(dǎo)體行業(yè)帶來新的發(fā)展機(jī)遇。

作為國內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，致能半導(dǎo)體自2018年成立以來，始終專注于氮化鎵功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。公司構(gòu)建了完整的IDM（設(shè)計-制造-封裝）體系，核心業(yè)務(wù)涵蓋硅基氮化鎵芯片及其共封裝器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。目前，其產(chǎn)品矩陣已包含TO247、TOLL、PQFN56等多種封裝類型，并成功完成硅基氮化鎵高功率大電壓常開平面元器件的研發(fā)與交付。

在技術(shù)創(chuàng)新方面，致能半導(dǎo)體持續(xù)突破行業(yè)瓶頸。今年7月，公司CEO黎子蘭博士在瑞典舉辦的國際氮化物半導(dǎo)體會議上，首次公開了硅基垂直GaN HEMT功率器件技術(shù)。該技術(shù)通過在硅襯底上實(shí)現(xiàn)垂直GaN/AlGaN結(jié)構(gòu)生長與二維電子氣溝道構(gòu)建，成功開發(fā)出全球首個垂直常開、常關(guān)雙類型器件。其中，常關(guān)器件的閾值電壓突破4V，憑借原創(chuàng)性技術(shù)優(yōu)勢獲得國際學(xué)術(shù)界廣泛關(guān)注。

制造工藝層面，致能半導(dǎo)體通過引入行業(yè)領(lǐng)先的制造流程與創(chuàng)新技術(shù)平臺，使產(chǎn)品在芯片尺寸、生產(chǎn)成本、電學(xué)性能及制造一致性等核心指標(biāo)上全面領(lǐng)先競爭對手。此次8英寸藍(lán)寶石基氮化鎵器件的量產(chǎn)計劃，正是其技術(shù)優(yōu)勢向規(guī)模化生產(chǎn)轉(zhuǎn)化的重要體現(xiàn)。

資本市場的認(rèn)可為致能半導(dǎo)體的發(fā)展提供了強(qiáng)勁動力。公司已完成從種子輪到C輪的多輪融資，投資方陣容涵蓋知名風(fēng)險投資機(jī)構(gòu)、產(chǎn)業(yè)基金及頭部企業(yè)創(chuàng)投。今年1月的C輪融資中，高榕資本、博世創(chuàng)投、深創(chuàng)投等機(jī)構(gòu)的加入，為公司產(chǎn)能擴(kuò)張與供應(yīng)鏈優(yōu)化提供了關(guān)鍵支持，恰逢其氮化鎵器件量產(chǎn)推進(jìn)的關(guān)鍵階段。