在第四代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，一項(xiàng)突破性成果引發(fā)關(guān)注。中國(guó)科學(xué)院上海光機(jī)所聯(lián)合杭州富加鎵業(yè)科技有限公司，在國(guó)際上首次運(yùn)用垂直布里奇曼法（VB法）成功制備出8英寸氧化鎵晶體。這一成果得益于上海市科委第四代半導(dǎo)體戰(zhàn)略前沿專項(xiàng)的支持。

氧化鎵作為第四代半導(dǎo)體的代表性材料，具備禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高的特性，在超高壓功率器件領(lǐng)域有著不可替代的重要應(yīng)用價(jià)值。上海光機(jī)所是國(guó)內(nèi)較早投身氧化鎵晶體研究的科研單位，在VB法研究方面，與富加鎵業(yè)緊密合作，大力提升關(guān)鍵裝備制造、高精度模擬仿真、確定性熱場(chǎng)設(shè)計(jì)這三大核心技術(shù)。

回顧過(guò)往，該研究團(tuán)隊(duì)成果斐然。2024年7月，在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)3英寸氧化鎵晶體制備；同年12月，成功制備出4英寸晶體；2025年9月，再次取得突破，在國(guó)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)6英寸晶體制備；直至2025年12月，刷新了國(guó)際VB法制備氧化鎵晶體的最大尺寸紀(jì)錄。

與其他制備方法相比，VB法在氧化鎵晶體制備方面優(yōu)勢(shì)顯著。其生長(zhǎng)過(guò)程無(wú)需使用銥金，大幅降低了生長(zhǎng)成本；溫度場(chǎng)均勻、溫度梯度小，更有利于生長(zhǎng)出大尺寸、高質(zhì)量的氧化鎵晶體；能夠生長(zhǎng)柱狀晶體，有效提高了材料制備效率；而且生長(zhǎng)過(guò)程穩(wěn)定，非常適合自動(dòng)化、規(guī)?；a(chǎn)，是實(shí)現(xiàn)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的理想路徑。

目前，上海光機(jī)所與富加鎵業(yè)正攜手下游用戶，加快開(kāi)展器件端對(duì)材料端的應(yīng)用驗(yàn)證工作，持續(xù)優(yōu)化氧化鎵材料及器件性能，全力推動(dòng)氧化鎵產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用進(jìn)程。