春節(jié)前夕，國內(nèi)存儲市場正經(jīng)歷一輪價(jià)格波動。記者走訪深圳華強(qiáng)北電子市場發(fā)現(xiàn)，近期內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格出現(xiàn)小幅回調(diào)，部分DDR4產(chǎn)品較2025年最高點(diǎn)回落10%-20%，但整體仍處于歷史高位。有商戶透露，某型號DDR4內(nèi)存單價(jià)仍高達(dá)1800元，甚至超過同期黃金價(jià)格，盡管較此前峰值已下跌數(shù)十元。

NAND閃存市場呈現(xiàn)更強(qiáng)漲價(jià)勢頭。原廠報(bào)價(jià)較年初翻倍，eMMC嵌入式存儲價(jià)格漲幅尤為突出。受此影響，多家電腦廠商已調(diào)整產(chǎn)品定價(jià)策略：中低端筆記本價(jià)格上調(diào)5%-10%，部分游戲本品牌計(jì)劃在節(jié)后實(shí)施最高33%的漲價(jià)幅度，對應(yīng)千元級價(jià)格上浮。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，存儲部件成本占整機(jī)比例已突破30%，成為推動終端漲價(jià)的核心因素。

市場研究機(jī)構(gòu)CFM統(tǒng)計(jì)表明，2025年全球DRAM/NAND Flash市場規(guī)模首次突破2000億美元，達(dá)2215.91億美元（約合1.53萬億元人民幣），同比增長32.7%。這一增長主要受人工智能、數(shù)據(jù)中心等新興領(lǐng)域需求驅(qū)動，但供給端產(chǎn)能擴(kuò)張明顯滯后。三星、SK海力士、美光等國際大廠庫存水平降至近五年低位，正推動定價(jià)機(jī)制改革，擬將傳統(tǒng)季度議價(jià)模式改為動態(tài)市價(jià)結(jié)算。

產(chǎn)能擴(kuò)張方面，主要原廠保持謹(jǐn)慎態(tài)度。預(yù)計(jì)2026年一季度DRAM芯片出貨量增幅將低于5%，NAND芯片增幅維持在5%-10%。多家企業(yè)表示，新建產(chǎn)線需至2027年下半年才能形成有效供給，短期內(nèi)市場供需緊張格局難以根本扭轉(zhuǎn)。這種預(yù)期進(jìn)一步強(qiáng)化了產(chǎn)業(yè)鏈對價(jià)格持續(xù)高位運(yùn)行的判斷。

國產(chǎn)存儲陣營則呈現(xiàn)加速崛起態(tài)勢。長鑫科技通過持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，全球DRAM市場份額已升至3.97%，超越美光成為全球第四大廠商。長江存儲在NAND領(lǐng)域表現(xiàn)更為亮眼，其全球出貨量占比在2025年首季突破10%，較2024年第三季度提升3個(gè)百分點(diǎn)。據(jù)Omida數(shù)據(jù)，兩家企業(yè)合計(jì)占據(jù)中國存儲市場超過25%份額，形成與國際大廠三足鼎立的新格局。

產(chǎn)業(yè)鏈上游設(shè)備商率先受益。中微公司披露，其高端刻蝕設(shè)備在先進(jìn)制程中的滲透率顯著提升，帶動2025年凈利潤同比增長28.74%-34.93%。長川科技等測試設(shè)備廠商也實(shí)現(xiàn)業(yè)績翻倍增長。國際市場方面，《日經(jīng)亞洲》報(bào)道稱，惠普、戴爾等品牌已將中國大陸存儲芯片納入供應(yīng)商體系，這是國際終端廠商首次大規(guī)模采用國產(chǎn)內(nèi)存產(chǎn)品。

分析人士指出，國產(chǎn)存儲的突破不僅改變?nèi)虍a(chǎn)業(yè)格局，更重塑了中國電子產(chǎn)業(yè)的供應(yīng)鏈安全。隨著長江存儲128層3D NAND、長鑫科技LPDDR5等高端產(chǎn)品量產(chǎn)，國內(nèi)廠商在技術(shù)代差上已縮短至1-2年，為后續(xù)市場競爭奠定基礎(chǔ)。不過，要實(shí)現(xiàn)真正意義上的國產(chǎn)替代，仍需在產(chǎn)能規(guī)模、良品率等關(guān)鍵指標(biāo)上持續(xù)突破。