ASML首席執(zhí)行官克里斯托夫?富凱（Christophe Fouquet）近日在公司總部接受媒體專(zhuān)訪時(shí)透露，High NA極紫外（EUV）光刻機(jī)的商業(yè)化進(jìn)程正按計(jì)劃推進(jìn)，預(yù)計(jì)將于2027至2028年間全面應(yīng)用于先進(jìn)芯片制造的大規(guī)模量產(chǎn)。這一技術(shù)突破被視為半導(dǎo)體行業(yè)邁向更小制程節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵一步。

據(jù)富凱介紹，英特爾代工部門(mén)在導(dǎo)入新一代光刻技術(shù)方面表現(xiàn)最為積極。其基于High NA EUV的Intel 14A制程節(jié)點(diǎn)已確定于2027年正式投產(chǎn)，這將成為全球首個(gè)采用該技術(shù)的商業(yè)化芯片制造平臺(tái)。目前，英特爾等早期客戶(hù)正在對(duì)設(shè)備進(jìn)行密集測(cè)試，初步結(jié)果顯示新設(shè)備的成像精度與分辨率均達(dá)到預(yù)期標(biāo)準(zhǔn)。

針對(duì)設(shè)備穩(wěn)定性問(wèn)題，富凱透露ASML已將2026年的重點(diǎn)工作之一設(shè)定為優(yōu)化設(shè)備運(yùn)行效率。通過(guò)與客戶(hù)的深度協(xié)作，技術(shù)團(tuán)隊(duì)計(jì)劃將設(shè)備停機(jī)時(shí)間壓縮至最低水平，確保量產(chǎn)階段的持續(xù)穩(wěn)定輸出。這一舉措被視為突破技術(shù)商業(yè)化瓶頸的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

在談及長(zhǎng)期技術(shù)規(guī)劃時(shí)，富凱證實(shí)ASML已啟動(dòng)下一代Hyper NA EUV光刻機(jī)的預(yù)研工作。這項(xiàng)面向2030年代的技術(shù)儲(chǔ)備，旨在為更先進(jìn)的芯片制造工藝提供設(shè)備支持。盡管具體參數(shù)尚未公開(kāi)，但業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為該技術(shù)將推動(dòng)半導(dǎo)體制造進(jìn)入全新維度。