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NAND閃存價格飆升 供需失衡致存儲成本傳導 終端產(chǎn)品或迎漲價潮

   發(fā)布時間:2026-01-25 21:09 作者:陳麗

全球存儲芯片市場正經(jīng)歷新一輪價格風暴,三星電子近日宣布將2026年第一季度NAND閃存供貨價格上調(diào)超100%,這一幅度遠超市場預期。據(jù)供應鏈消息,三星已于去年底與主要客戶完成新價格協(xié)議,相關(guān)漲幅自今年1月起正式生效。此前,該企業(yè)已將DRAM內(nèi)存合同價最高上調(diào)近70%,兩大核心存儲產(chǎn)品同步提價引發(fā)行業(yè)震動。

價格傳導效應迅速蔓延至整個產(chǎn)業(yè)鏈。全球NAND市場份額排名前二的SK海力士同步跟進,提價幅度與三星接近;排名第五的閃迪也計劃在年內(nèi)實施100%漲幅。野村證券分析指出,主流廠商集體調(diào)價標志著存儲市場進入全面漲價周期,此前市場關(guān)于"局部波動"的判斷已被推翻。市場調(diào)研機構(gòu)TrendForce數(shù)據(jù)顯示,2025年第四季度NAND價格已環(huán)比上漲33%-38%,而當前實際漲幅遠超該機構(gòu)對2026年一季度的預測值。

供需結(jié)構(gòu)失衡構(gòu)成此輪漲價的核心推力。需求側(cè)呈現(xiàn)爆發(fā)式增長:AI技術(shù)普及催生海量數(shù)據(jù)存儲需求,企業(yè)級固態(tài)硬盤訂單量隨AI基礎(chǔ)設施投資激增;移動設備廠商為適配端側(cè)AI功能,普遍采用更大容量存儲方案;英偉達最新架構(gòu)更將NAND納入AI分層內(nèi)存體系,進一步拓寬應用場景。供給側(cè)則面臨多重制約:過去一年行業(yè)未出現(xiàn)大規(guī)模擴產(chǎn),三星等頭部企業(yè)投資趨于謹慎,同時128層制程向更高階升級以及產(chǎn)線QLC工藝改造,導致常規(guī)產(chǎn)能持續(xù)被壓縮。

漲價沖擊波已滲透至終端市場。AI企業(yè)反映存儲成本攀升正在延緩技術(shù)落地速度,部分項目因"存儲器瓶頸"面臨延期風險;消費電子領(lǐng)域,智能手機和PC制造商開始醞釀產(chǎn)品漲價,通過價格傳導緩解成本壓力。行業(yè)分析師指出,由于先進制程產(chǎn)能釋放需要18-24個月周期,短期內(nèi)供給端難有實質(zhì)性改善,漲價效應預計將持續(xù)至二季度。

當前三星正與客戶就二季度供貨價格展開新一輪談判,市場普遍預期漲幅將維持在高位。隨著DRAM與NAND形成漲價合力,存儲行業(yè)呈現(xiàn)出周期性復蘇與結(jié)構(gòu)性變革并行的特征:傳統(tǒng)價格波動規(guī)律與AI驅(qū)動的新需求邏輯相互交織,正在重塑全球存儲芯片的定價體系。

 
 
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