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高盛報(bào)告:DDR4與DDR5現(xiàn)貨合約價(jià)差懸殊,內(nèi)存市場(chǎng)或迎價(jià)格補(bǔ)漲潮

   發(fā)布時(shí)間:2026-01-26 19:20 作者:吳俊

高盛亞洲團(tuán)隊(duì)近日發(fā)布的DRAM行業(yè)分析報(bào)告指出,當(dāng)前內(nèi)存市場(chǎng)正經(jīng)歷顯著的價(jià)格分化。數(shù)據(jù)顯示,DDR4內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格較合約價(jià)已飆升172%,DDR5的現(xiàn)貨與合約價(jià)差也達(dá)到76%,這種差距直觀反映出合約價(jià)與市場(chǎng)供需基本面嚴(yán)重脫節(jié)。報(bào)告預(yù)測(cè),隨著市場(chǎng)機(jī)制調(diào)節(jié),合約價(jià)將迎來(lái)大幅補(bǔ)漲。

業(yè)內(nèi)分析認(rèn)為,現(xiàn)貨市場(chǎng)因其高頻交易特性,能夠更敏銳地反映短期供需變化。此次DDR4與DDR5同步出現(xiàn)巨額價(jià)差,核心原因在于合約價(jià)調(diào)整滯后于市場(chǎng)實(shí)際需求。隨著供需失衡加劇,這種價(jià)格背離狀態(tài)難以持續(xù),合約價(jià)補(bǔ)漲已成為行業(yè)共識(shí)。

從供應(yīng)端看,DRAM行業(yè)面臨結(jié)構(gòu)性產(chǎn)能約束。受晶圓廠建設(shè)周期長(zhǎng)、投產(chǎn)節(jié)奏慢等因素影響,2026年前行業(yè)新增產(chǎn)能有限,其中DDR4領(lǐng)域還將出現(xiàn)減產(chǎn),供給收縮趨勢(shì)明顯。需求端則呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),AI基礎(chǔ)設(shè)施迭代加速推動(dòng)存儲(chǔ)單元從單機(jī)服務(wù)器向機(jī)架系統(tǒng)擴(kuò)展,直接拉動(dòng)了DRAM整體需求,供需缺口持續(xù)擴(kuò)大。

高盛報(bào)告特別提到,下游終端客戶(hù)已普遍接受2026年一季度內(nèi)存價(jià)格大幅上漲的預(yù)期,這為合約價(jià)上調(diào)奠定了市場(chǎng)基礎(chǔ)。價(jià)格調(diào)整可能引發(fā)連鎖反應(yīng),既影響內(nèi)存廠商營(yíng)收結(jié)構(gòu),也會(huì)推高下游電子設(shè)備制造成本,全行業(yè)需密切關(guān)注這一趨勢(shì)演變。

 
 
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