【沃資訊】12月4日消息，三星電子的極紫外(EUV)光刻技術近日取得了顯著的突破。據悉，三星電子DS部門研究員Kang Young-seok詳細介紹了該公司EUV技術的最新進展和未來計劃。在這一技術領域，三星采用的EUV薄膜透射率已成功提高至90%，并有計劃將其進一步提升至94%-96%。EUV薄膜在半導體制造中扮演重要角色，作為光刻工藝所需的關鍵材料，其主要功能是充當保護層，以防止異物對半導體器件制造過程中的缺陷產生影響。
這項技術的關鍵點在于EUV薄膜的透射率，目前已達到90%，但相比之下，這意味著只有90%的光線能夠穿透薄膜，到達掩模，這可能對電路圖案的精度產生一定影響。與傳統的氟化氬(ArF)工藝中使用的薄膜透射率99.3%相比，存在一定差距。有外媒指出，EUV薄膜在商業化過程中可能面臨挑戰，因為在EUV工藝過程中產生的熱量可能導致薄膜變形或破裂。
據沃資訊了解，三星已在其一些高端EUV代工生產線上引入了這一新型薄膜技術，服務于其主要客戶。雖然三星也在DRAM生產線中應用EUV工藝，但鑒于生產率和成本的考慮，公司認為在內存量產中不必使用該薄膜技術是可行的。
三星采用的EUV薄膜并非來自韓國國內供應商，而是由日本三井物產提供。盡管韓國的一些公司，如FST和S&S Tech，正在積極研發EUV薄膜，但目前尚未實現量產。與之相比，三星的競爭對手臺積電已經在7納米及更小工藝的生產線上成功使用了自家研發的EUV薄膜，顯示出在這一領域的競爭激烈。
