【沃資訊】8月18日消息，三星電子的最新計劃引發了科技產業的關注。據消息報道，三星電子計劃在明年推出第9代V-NAND閃存產品，這一次將采用雙層堆棧架構，層數超過300層。這一舉措將進一步提升存儲技術的前沿，為固態硬盤等產品帶來更大的性能提升。
據了解，雙層堆棧架構是指在300mm晶圓上構建3D NAND堆棧，然后在第一個堆棧的基礎上構建另一個堆棧。這種創新設計可以顯著提高單個晶圓上的存儲密度，從而降低生產成本，對于固態硬盤市場的競爭將產生積極影響。
不僅如此，三星的計劃還將超越競爭對手SK海力士的規劃。據悉，SK海力士計劃在2025年上半年開始量產三層堆棧架構的321層NAND閃存。盡管這種構架方式在提高產量方面有一定優勢，但需要更多的生產步驟和原材料投入。
業內人士透露，三星在推出第9代3D NAND之后，可能會在未來的第10代產品中采用三層堆棧架構。這將進一步推動存儲層數的提升，達到430層。這種做法考慮到了材料用量、生產成本以及產量的平衡，對于保持可行性和競爭力都具有重要意義。
在2022年的三星科技日上，三星提出了一個雄心勃勃的目標，即到2030年將3D NAND的層數提升至1000層。這一愿景充分展示了三星在存儲技術領域的持續創新和發展努力，有望在未來帶來更多令人期待的突破。
